シーラス・ロジック社は製品分析研究所を完備し、他の工場を持たないIC設計会社との差別化を図っています。 この研究所は独特な装置を用いて障害の根本原因を確実に特定してきました。 複数分野の専門性を有する経験豊富なチームが、高機能なツールを使用して分析を行う、世界クラスの能力を有する研究所です。
| 分析ツール/テクニック | 性能 |
|---|---|
| 電気的分析 | |
| リアルタイムなオンライン製品分析データベース | 故障のモード/メカニズムの履歴を追跡し、分析のサイクル・タイムを短縮して傾向を把握する。また、進行中の分析を追跡する |
| BGAリボール・ツールセット | 試験性能用にパッケージのボール再生を行う |
| オープン/ショート/漏電のパラメトリック試験 | パラメトリックな障害の復元-広範なパッケージの種類全体で、すべてのデバイス・ピンへの接続が可能 |
| ATEテスタと評価基盤のセットアップ | 機能的な障害の復元-分析には、デバイスの回路を使用しながら障害モードを完全に再現できることが必要 |
| パッケージのX線によるパッケージ整合性の検証 | パッケージの整合性検査 |
| パッケージ上部の皮膜剥離 | デバイスの機能を維持したまま、5ピンTSSOPから352 BGAにまで対応する卓越した皮膜剥離が可能 |
| パッケージ下部の皮膜剥離 | 金型の裏面を使用し、シリコン分析テクニックを有効にする |
| 近赤外線用に最適化された放射光分析(LEM) | 近赤外線により、時間を節約できる簡易な放射光分析手法において、前面または全体のシリコン機能が拡張される |
| CADソフトウェア・ツール | 回路とマスク・レイヤのナビゲーション、およびデバッグ用の架橋結合 |
| 集束イオン・ビーム(FIB) | アクセス・ポイント作成と回路変更を精査する |
| 機能的マイクロプローブ | 時間がかかるが時々必要になる障害追跡手法。回路全体を精査して、障害をピンポイントで解明する |
| 物理的分析 | |
| ドライおよびウェットのエッチングによるトップダウン・デプロセス | 電気的分析により特定された障害の種類に応じて、正しいデコンプレス手法を選択することが可能 |
| デュアル・ビームFIB | 精密なクロスセクション/高解像度画像解析 |
| 光学検査用顕微鏡 | デジタル画像キャプチャを統合した、高解像度、浸水、共焦点、およびレーザー・スキャンによる画像解析 |
| 機械クロスセクション | 製造工程の短時間での調査およびモニタリング用 |
| SEM/EDS画像解析とX線元素分析 | 障害のメカニズムを製造工程レベルで特定するための超高解像度画像解析 |
| その他の分析 | |
| JEDEC準拠のESD/ラッチアップ試験 | 早急な設計フィードバックと完全なデバッグ機能のためのマルチシステムの社内試験 |